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- 集成電路及微電子制造
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微納電路離子刻機IBE100
產(chǎn)品型號：IBE100
微納電路離子刻機
- 詳細(xì)內(nèi)容
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基本參數(shù)
1、刻蝕尺寸：4吋及以下；
2、刻蝕材料：單晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Al、W、Mo和金屬氧化物薄膜等；
3、離子束入射角：0~90°之間任意調(diào)整；
4、Ar+離子能量范圍：150~950eV，連續(xù)可調(diào)；
5、離子束流密度：0.1~0.9mA/cm2，連續(xù)可調(diào)
6、有效離子束直徑：≥Φ100mm；
7、刻蝕速率：0.05~0.8μm/min；
8、中和裝置：帶有熱絲結(jié)構(gòu)的電子中和裝置；
9、操作方式：半自動控制方式；
10、系統(tǒng)總控：人機界面及控制程序；
11、電源：220VAC/50Hz，9KW；
12、機器重量：700kg；
13、機器尺寸: D810mm× W1520mm×H1830mm。
電源及刻蝕反應(yīng)室
1、電源：直流電源。
2、反應(yīng)室：上蓋啟閉，操作方便，單室；
3、反應(yīng)室規(guī)格：Φ400′300mm；
4、真空度：≤2×10-4 Pa(腔體充分烘烤除氣，去濕后)；
5、抽氣時間：系統(tǒng)充干燥 N2解除真空后短時暴露，大氣壓~ 5×10-3 Pa 時間≤ 30min。
真空測量系統(tǒng)及氣體配置
1、真空計：數(shù)顯復(fù)合真空計 1套，測量低真空和高真空；
2、供氣：Ar氣體，進(jìn)氣壓力0.4～0.6Mpa，工藝氣體純度為：99.999﹪。
冷卻系統(tǒng)
1、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)；
2、保護系統(tǒng)：對泵、電極等缺水等異常情況進(jìn)行報警并執(zhí)行相應(yīng)保護。
